半導體設備龍頭股最新一覽

半導體設備一般指生產各類半導體產品所需的生產設備，是半導體產業產業鏈中的關鍵支撐環節。這次小編在這里給大家整理了半導體設備龍頭股一覽，供大家閱讀參考。

半導體設備龍頭股一覽

1、北方華創：龍頭股

2022年第二季度北方華創公司主營為電子工藝裝備、電子元器件等，收入為41億元、13.34億元，占比為75.31%%、24.51%%。

財報顯示， 2022年第二季度，公司營業收入33.08億元;歸屬上市股東的凈利潤為5.48億元;全面攤薄凈資產收益 3.13%;毛利率47.5%，每股收益1.04元。

2、長電科技：龍頭股

2022年第二季度長電科技公司主營為A板塊、B板塊、分部間抵銷等，收入為98.6億元、61.72億元、-4.39億元，占比為63.23%%、39.58%%、-2.81%%。

財報顯示， 2022年第三季度，公司營業收入91.84億元;歸屬上市股東的凈利潤為9.09億元;全面攤薄凈資產收益 3.91%;毛利率17.07%，每股收益0.51元。

3、中微公司：龍頭股

2022年第二季度中微公司公司主營為刻蝕設備收入、MOCVD設備收入等，收入為12.99億元、2.41億元，占比為84.35%%、15.65%%。

中微公司發布2022年第三季度財報，實現營業收入10.71億元，同比增長45.92%，歸母凈利潤3.25億，同比123.91%;每股收益為0.53元。

半導體設備概念股有哪些上市公司

1、三安光電(600703)：公司從事化合物半導體材料的研發與應用。11月24日消息，三安光電今年來漲幅下跌-107.25%，最新報18.080元，跌3.73%，成交額17.48億元。

2、捷佳偉創(300724)：公司主要從事晶體硅太陽能電池生產設備。11月24日開盤消息，捷佳偉創5日內股價上漲7.47%，今年來漲幅上漲20.49%，最新報133.940元，漲0.01%，市盈率為63.18。

3、東山精密(002384)：公司業務有精密金屬制造和精密電子制造。11月24日消息，東山精密截至收盤，該股跌2.93%，報26.520元;5日內股價下跌2%，市值為453.46億元。

4、盛美上海(688082)：公司主營業務為半導體專用設備。11月24日消息，盛美上海5日內股價下跌3.92%，今年來漲幅下跌-41.94%，最新報84.010元，市盈率為123.54。

5、長川科技(300604)：公司主要從事集成電路專用設備的研發、生產和銷售。11月24日開盤最新消息，長川科技今年來漲幅上漲7.26%，截至收盤，該股漲0.81%報54.430元 。

6、拓荊科技(688072)：公司從事半導體器件制造、集成電路封裝測試的研發、生產、銷售。拓荊科技-U(688072)漲1.93%，報234.200元，成交額3.46億元，換手率5.29%，振幅漲1.93%。

7、揚杰科技(300373)：公司從事高性能石英玻璃材料。11月24日開盤消息，揚杰科技今年來漲幅下跌-15.52%，最新報57.530元，成交額4.02億元。

8、菲利華(300395)：公司業務有激光加工及自動化系統集成設備制造。11月24日消息，菲利華截至下午三點收盤，該股報56.870元，漲0.49%，3日內股價下跌0.97%，總市值為288.29億元。

9、大族激光(002008)：公司主要從事半導體集成電路封裝測試。11月24日開盤消息，大族激光今年來漲幅下跌-92.15%，最新報27.000元，成交額2.49億元。

半導體設備有哪些

1、單晶爐

單晶爐是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶硅的設備。在實際生產單晶硅過程中，它扮演著控制硅晶體的溫度和質量的關鍵作用。

由于單晶直徑在生長過程中可受到溫度、提拉速度與轉速、坩堝跟蹤速度、保護氣體流速等因素影響，其中生產的溫度主要決定能否成晶，而速度將直接影響到晶體的內在質量，而這種影響卻只能在單晶拉出后通過檢測才能獲知，單晶爐主要控制的方面包括晶體直徑、硅功率控制、泄漏率和氬氣質量等。

2、氣相外延爐

氣相外延爐主要是為硅的氣相外延生長提供特定的工藝環境，實現在單晶上生長與單晶晶相具有對應關系的薄層晶體。外延生長是指在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層，猶如原來的晶體向外延伸了一段，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯電阻，又要求材料能耐高壓和大電流，因此需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層。

氣相外延爐能夠為單晶沉底實現功能化做基礎準備，氣相外延即化學氣相沉積的一種特殊工藝，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關系。

3、氧化爐

硅與含有氧化物質的氣體，例如水汽和氧氣在高溫下進行化學反應，而在硅片表面產生一層致密的二氧化硅薄膜，這是硅平面技術中一項重要的工藝。氧化爐的主要功能是為硅等半導體材料進行氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實現半導體預期設計的氧化處理過程，是半導體加工過程的不可缺少的一個環節。

4、磁控濺射臺

磁控濺射是物理氣相沉積的一種，一般的濺射法可被用于制備半導體等材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。在硅晶圓生產過程中，通過二極濺射中一個平行于靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區域，實現高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。

5、化學機械拋光機

一種進行化學機械研磨的機器，在硅晶圓制造中，隨著制程技術的升級、導線與柵極尺寸的縮小，光刻技術對晶圓表面的平坦程度的要求越來越高，IBM公司于1985年發展CMOS產品引入，并在1990年成功應用于64MB的DRAM生產中，1995年以后，CMP技術得到了快速發展，大量應用于半導體產業。

化學機械研磨亦稱為化學機械拋光，其原理是化學腐蝕作用和機械去除作用相結合的加工技術，是目前機械加工中唯一可以實現表面全局平坦化的技術。在實際制造中，它主要的作用是通過機械研磨和化學液體溶解“腐蝕”的綜合作用，對被研磨體(半導體)進行研磨拋光。

6、光刻機

又名掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，常用的光刻機是掩膜對準光刻，一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。